Field Effect Transistor

Field Effect Transistor

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场效应管（Field Effect Transistor）是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件，按结构可分为

结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，JFET）

金属—氧化物—半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

金属半导体场效应管（MEtal Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET）

高速电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）

异质接面双载子晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor，HBT）

调制杂场效应管（Modulation Doped Field Effect Transistor，MODFET）

场效应管体积小、重量轻、耗电省、寿命长，并具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点，因而应用范围广，特别在大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）中得到广泛应用。